據(jù)IMS Research最新調(diào)查報(bào)告，預(yù)計(jì)2012年全球分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)3.7%，產(chǎn)值達(dá)134億美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同時(shí)，細(xì)分市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，對(duì)于不同的產(chǎn)品以及應(yīng)用市場(chǎng)可說是冰火兩重天。

 

IMS Research預(yù)計(jì)，2012年增長(zhǎng)最快的分立器件和模塊產(chǎn)品仍為IGBT。2011年，IGBT銷售額首次超過10億美元，年內(nèi)大部分時(shí)間都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。這種境況一直到歐債危機(jī)及中國(guó)政府暫停了相應(yīng)的能源補(bǔ)貼之后才有所減緩。2012年，IGBT增長(zhǎng)的動(dòng)力來自于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源模塊，以及混合動(dòng)力汽車應(yīng)用。預(yù)計(jì)雖然增長(zhǎng)會(huì)放緩，但是整體分立IGBT市場(chǎng)仍將取得19%的增幅。

 

如IGBT般持續(xù)地增長(zhǎng)是少見的，分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的整體市場(chǎng)前景并不樂觀。2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的營(yíng)收都有輕微跌幅。計(jì)算領(lǐng)域和消費(fèi)電子領(lǐng)域是商用功率MOSFET和整流器市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，而這兩個(gè)領(lǐng)域自2011年中以來一直下滑。預(yù)計(jì)，MOSFET和整流器在整體分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)所占的份額總和將由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年將進(jìn)一步下滑至僅72%。2012年，不僅是對(duì)筆記本電腦、液晶電視、DVD播放器/錄音機(jī)和其它消費(fèi)電子的出貨量將持平甚至下跌；同時(shí)，由于用戶對(duì)低功耗的追求，每臺(tái)設(shè)備中的功率半導(dǎo)體量也將有所縮減。今年在西方國(guó)家由于模擬向數(shù)字的遷移幾近完成，由此導(dǎo)致的液晶電視銷售激增的情況也接近尾聲。

 

2012年，計(jì)算及辦公設(shè)備領(lǐng)域占整體功率MOSFET的份額將為37%。今年，以下幾個(gè)因素將導(dǎo)致MOSFET市場(chǎng)下滑：全球經(jīng)濟(jì)放緩，2011年泰國(guó)十月的洪災(zāi)影響了2012年前期的筆記本電腦生產(chǎn)，微軟Windows 8發(fā)布前期的銷售放緩，以及因平板電腦崛起蠶食了筆記本電腦的市場(chǎng)份額（相比于筆記本電腦，平板設(shè)備搭載的功率MOSFET器件更少）。計(jì)算領(lǐng)域MOSFET在2012年及之后將有三個(gè)主要的影響。最顯著的變化在于微處理器技術(shù)方面，由于Intel最近發(fā)布的Ivy Bridge微架構(gòu)將比此前的型號(hào)節(jié)省高達(dá)50%的功耗，這也表明Ivy Bridge母板將比此前少用高達(dá)50%的功率MOSFET。其次，提高功率效率的需求正推動(dòng)電源適配器的設(shè)計(jì)趨向于同步整流技術(shù)，這將棄用整流二極管轉(zhuǎn)而采用MOSFET。最后，服務(wù)器市場(chǎng)將因“云計(jì)算”發(fā)生改變，未來預(yù)計(jì)將促進(jìn)大容量服務(wù)器的銷售，降低稍小型服務(wù)器企業(yè)的銷售。

 

2012年，分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)最快的是汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，包括可再生能源、通訊、醫(yī)療、照明和交通等。蜂窩手持設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施，消費(fèi)電子以及計(jì)算和辦公設(shè)備領(lǐng)域的增長(zhǎng)幅度將較平均水平更低。