飛兆半導體150V MOSFET在隔離DC-DC應用中實現(xiàn)更高性能

關(guān)鍵字： 飛兆半導體  FDMS86200  150V MOSFET  隔離DC-DC 

飛兆半導體宣布推出一款具有低R_DS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以及系統(tǒng)專有技術(shù)，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。

FDMS86200使用屏蔽柵極MOSFET技術(shù)來設計，具有較低的開關(guān)噪聲和振鈴噪聲，有助于降低EMI。如果沒有這項專有技術(shù)功能，設計人員則需被迫選擇一個200V MOSFET器件，從而令到R_DS(ON)增加一倍，導致總體效率降低。飛兆半導體的FDMS86200 還帶有經(jīng)改進的體二極管，能夠通過減少損耗來提升開關(guān)性能。

價格： 訂購1,000個，單價為1.92美元

供貨： 現(xiàn)提供樣品

交貨期 ：收到訂單后12至15周

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