SiC JFET已在日本的一個10KW的太陽能逆變器項目中采用。
此次采用的新款CoolSiC 1200V SiC JFET系列器件融合了英飛凌在SiC技術領域超過十年的研發(fā)經驗,具備高質量、可大量生產的特點?!坝w凌一直在SiC工藝方面走在前列?!盡ittal稱,“相對于競爭對手還在有用3.5英寸的SiC量產,我們馬上會進入6英寸的SiC量產,比如JFET就會采用6英寸的SiC工藝。”相較于傳統(tǒng)的IGBT,全新的SiC JFET 大幅降低切換耗損,在不需要犧牲系統(tǒng)整體效率的同時,可應用于更高的切換頻率,因此能夠使用體積更小的無源器件,進一步縮小整體解決方案的體積與重量,并降低系統(tǒng)成本。換句話說,該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。為確保常開JFET技術的安全性及使用方便性,英飛凌開發(fā)了一項名為直接驅動技術(Direct Drive Technology)的概念,應用這個概念的JEFT在外部使用了一個低壓MOSFET及專用的驅動IC,以確保系統(tǒng)能安全開啟,而且能在安全且受控制的情況下進行切換?!癈oolSiC JFET采用單片集成式二極管,切換效果與外接式的SiC肖特基二極管相當。這種搭配組合使其在效率、可靠性、安全性及使用方便性上達到顛峰。”他解釋。預計其第一批大規(guī)模量產會在明年上半年實現,到時中國太陽能逆變器廠商也會享用到此高效率的產品了。
除了在SiC工藝上的領先外,英飛凌在超薄晶圓片工藝上也不斷開拓,處于領先地位。作為IGBT的領軍者,英飛凌一直進行持續(xù)不斷地投資與創(chuàng)新,其中包括投資12英寸模擬晶圓廠和超薄晶圓?!拔覀兠磕暧谐^9億歐元的投入,主要是研發(fā)與生產?!盡ittal表示。IGBT由于雙面都是有源的,因此厚度決定了開關損耗,英飛凌的超薄晶圓技術不斷提升,目前已開發(fā)出70μm厚度的晶圓(300mm),將開關損耗降至最低,而根據英飛凌的Roadmap,未來晶圓將進一步縮減至40μm?!跋鄬?,對手的IGBT還在采用120μm的晶園?!彼f。
先進的SiC工藝和超薄晶圓是英飛凌提升功率器件效率的兩條途徑,至于大家談論較多的GaN工藝,Mittal表示,英飛凌會保持研發(fā)與跟蹤,也提供小批量生產,但是基于目前的成本太高,還不適合于大規(guī)模量產。英飛凌會持續(xù)對以上兩個工藝進行投資,推動功率器件的創(chuàng)新。這里有還一個重要信息要公示一下,也就是從今年十月一日開始,現任CEO Peter Bauer將由于身體健康方面的原因退休,新的CEO為在英飛凌服務多年的Reinhard Ploss博士,并會繼續(xù)將高能效、交通與安全作為英飛凌發(fā)展的三大重點領域。