三星(Samsung)將在明年二月的國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(ISSCC)中，展示采用 ARM big.little 概念的移動(dòng)應(yīng)用處理器。

這是少數(shù)將在該會(huì)議大披露的新款微處理器，但包括英特爾(Intel)的 Haswell 和 Nvidia 的丹佛計(jì)劃(Project Denver)，都很明顯地缺席。不過(guò)，英特爾和 Nvidia 都將就新的芯片到芯片連接提出最新論文，展示他們對(duì)未來(lái)處理器的規(guī)劃。

三星將揭露具有兩個(gè)四核心叢集的 28nm SoC 詳細(xì)資料。其中一個(gè)叢集執(zhí)行在1.8GHz，具有2MB L2 快取，主要針對(duì)高性能應(yīng)用；另一款速度為1.2GHz，可用于調(diào)節(jié)能源效率。

該芯片與 ARM 所提出之采用 32位 A15 和 A7 核心的 big.little 架構(gòu)相同。今年10月時(shí)，ARM曾表示這種方法提供了比預(yù)期還要高的效益，未來(lái)將廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)中。

Linley Group 資深分析師Kevin Krewell表示，三星將推出首款 big.little 處理器。 A7 核心應(yīng)該能處理大多數(shù)智能手機(jī)的任務(wù)，而A15核心則處理需要高性能的需求，如游戲。

而其它如高通(Qualcomm)、 Nvidia 和其它預(yù)計(jì)2013年推出，將與英特爾 22nm Haswell 在平板市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的處理器則并未計(jì)劃在 ISSCC 上披露。根據(jù)過(guò)去經(jīng)驗(yàn)，英特爾在會(huì)議上提出的論文向來(lái)與處理器無(wú)關(guān)。

不過(guò)，這家 x86 巨擘將描述一款頻寬達(dá)1Tb的可擴(kuò)展64信道芯片到芯片互連。 該鏈路使用多個(gè)2~16Gb/s信道，執(zhí)行在0.8~2.6 pJ /bit，采用32nm CMOS制程，總總線功耗為2.6W

這篇文章介紹了英特爾研究院(Intel Labs)的研究成果。英特爾實(shí)驗(yàn)室資深首席工程師Bryan Casper表示，該論文描述了使用Samtec的micro-twinax線路，以及 Ardent Concepts 的連接器來(lái)連接Tb/s等級(jí)的芯片，否則功耗可能會(huì)拉升至20W。

Casper表示，直徑1到2mm的線束將是“我們?cè)诳缭揭苿?dòng)和 服務(wù)器應(yīng)用時(shí)，向前邁進(jìn)的重要技術(shù)。次pJ /bit I/O非常重要，因?yàn)檫@是快速開(kāi)啟和關(guān)閉I/O連接的關(guān)鍵。”

Nvidia將描述一款20Gb/s的串行芯片到芯片28nm CMOS，它采用0.9V電源，電源效率0.54pJ/b。這項(xiàng)互連技術(shù)可能會(huì)與Nvidia的丹佛計(jì)劃整合，也可能應(yīng)用在從筆電到超級(jí)計(jì)算機(jī)等所有ARM和繪圖核心處理器系列中。

此外，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所(ICT)將提出新版龍芯3B處理器 (Godson 3B)，該組件采用32nm。在此之前，ICT展示過(guò)八核心65nm CPU，并建議直接跨越到32nm。

在 ISSCC上，工程師將詳細(xì)介紹Godson-3B1500，這是一款32nm high-K金屬閘極組件，在1.35 GHz、40W條件下可提供172.8 GFLOPS性能。在同等功耗條件下，新處理器性能較65nm版本的128 Gflops有顯著提升，這主要?dú)w功于新制、架構(gòu)和電路的改良。

在其它論文中，德州儀器(TI)和麻省理工學(xué)院(MIT)將提出一款200MHz的影像譯碼器，可符合高效影像編碼標(biāo)準(zhǔn)，提供每秒249M畫素性能。它支持3,840 × 2,160畫素分辨率，在0.9V時(shí)耗電76mW。

瑞薩(Renesas)將描述一款整合手機(jī)芯片，其中包含28nm雙核心1.5GHz CPU、 LTE/HSPA + 基頻調(diào)制解調(diào)器處理器、繪圖加速器和電源管理單元。 AMD, IBM和甲骨文(Oracle)則將分別就其 Jaguar, zSeries 和 Sparc T5 發(fā)表論文。