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英國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)石墨烯自旋編碼優(yōu)于硅芯片

關(guān)鍵字:硅芯片  石墨烯自旋編碼  石墨烯芯片  科學(xué)實(shí)驗(yàn)?zāi)K

具備高電子遷移率的石墨烯(graphene)一直被視為延長摩爾定律(Moore's Law)的關(guān)鍵,而因?yàn)槭┑木鶆蛐?uniformity)優(yōu)于金屬,也使其成為納米自旋電子組件(spintronic device)的最佳候選材料。英國查爾摩斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的納米制造實(shí)驗(yàn)室(Nanofabrication Laboratory)表示,自旋電子組件能以個(gè)別電子自旋來編碼信息,而不是透過成千上萬的電荷,因此組件的尺寸可望進(jìn)一步微縮、功耗也能比硅芯片來得更低。

 

目前市面有少數(shù)組件是采用自旋編碼(spin encoding),包括一些先進(jìn)的硬盤機(jī)以及磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM);但這些組件僅能將自旋編碼后的電子移動(dòng)數(shù)納米,所采用的銅與鋁等金屬的均勻度不足,無法讓電子移動(dòng)更長的距離,限制了自旋電子組件的性能。為此查爾摩斯理工大學(xué)的目標(biāo)是讓自旋編碼后的電子移動(dòng)距離拉長到微米(micrometer)等級,好讓各種數(shù)字電路都能利用自旋電子。

 

查爾摩斯理工大學(xué)教授Saroj Dash的團(tuán)隊(duì)最近利用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),將石墨烯沉積到銅基板上,再于室溫下轉(zhuǎn)移至絕緣上覆硅(SoI)晶圓片,成功實(shí)現(xiàn)了長距離的自旋電子通訊;結(jié)果顯示自旋電子傳輸距離可擴(kuò)展至16微米。

 

 

《國際電子商情》石墨烯自旋電子逆變器(inverter)改變了單一電子的自旋方向(來源:Chalmers University of Technology)
石墨烯自旋電子逆變器(inverter)改變了單一電子的自旋方向(來源:Chalmers University of Technology)
 

 

Dash的團(tuán)隊(duì)成員、博士候選人Venkata Kamalakar Mutta表示:"石墨烯能以三種方式取得:一是從石墨塊狀晶體以機(jī)械剝離,這也是最被廣泛使用的方式;二是磊晶方式,透過移除表層的硅原子,在碳化硅(SiC)晶圓片上長出石墨烯,是大面積應(yīng)用的適合方案;此外則是在銅箔上以化學(xué)氣相沉積石墨烯,再利用化學(xué)溶解銅,將之轉(zhuǎn)移至任何一種基板上。"他指出,在這些方法中,化學(xué)氣相沉積法是最可行的。

 

《國際電子商情》石墨烯自旋電子組件可能長這樣…(來源:Chalmers University of Technology)
石墨烯自旋電子組件可能長這樣…(來源:Chalmers University of Technology)
 

 

Mutta指出,他們在實(shí)驗(yàn)室的設(shè)置,是在石墨烯兩端放置兩個(gè)鐵磁體(ferromagnetic)電極,完整的電路也有其他參考電極,但可能不是采用鐵磁體;其中有兩個(gè)電路,一是電流、一是電壓,相互隔離以忠實(shí)量測自旋訊號。目前Dash的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)制作了幾個(gè)簡單的電路原型,下一步則是制作內(nèi)存、處理器甚至更復(fù)雜的電路,并將進(jìn)一步改善能完美制作單晶石墨烯晶圓片的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

 

《國際電子商情》查爾摩斯理工大學(xué)教授Saroj Dash(來源:Chalmers University of Technology)
查爾摩斯理工大學(xué)教授Saroj Dash

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