關鍵字:功率組件市場
Yole 的分析師認為,中高壓市場中的 IGBT 產(chǎn)值約為16億美元。超接面(Superjunction) MOSFET 正在朝更高度開關頻率的方向發(fā)展,預估2012年市場規(guī)模為5.67億美元。
而性能可超越傳統(tǒng)硅組件的新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術,則由于過于昂貴,因此仍處在早期部署階段。
不過,Yole表示,這些材料將會對LED照明應用領域帶來影響,而且目前也已經(jīng)有一些制造商表示考慮選用這些材料了。
“GaN和SiC還未成熟到足以應用在功率電子市場中:首先,這類產(chǎn)品要求改善制造技術,特別是在磊晶厚度方面;其次是材料仍然相當昂貴,因此很難走進一般消費應用領域,Yole表示。