據IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領域獲得成功的關鍵變數。

 

考慮到2011年出貨量為零，今年出貨量預計只占總體DRAM領域的1.4%，DDR4在2014年以前不會達到很大的規(guī)模。但DDR4市場兩年后將迅速增長，2014年市場份額將增至23.1%，超過目前占主導地位的DDR3。

 

2015年將繼續(xù)強勁增長，屆時DDR4的市場份額將接近擴大一倍，達到44.2%。到2016年，DDR4將占據包括移動DRAM在內的總體DRAM市場的一半以上，估計份額將達51.8%。

 

 

DDR4值得英特爾支持

DDR4的這種急劇增長，假設前提是英特爾全力支持這種新型內存產品——沒有理由做出相反的假設。英特爾已經宣布，其Haswell微架構將支持幾個中央處理單元(CPU)，包括Haswell-EP和Haswell-EX。IHS iSuppli公司認為，這兩種CPU產品2013年末或2014年初才會上市，但英特爾很可能在計算應用中采用DDR4，尤其是在其率先提出并積極推動的Ultrabook平臺上面——這將幫助DDR4更快地占領市場。

 

這種策略將擴大DDR4的潛在市場。英特爾只是為上述應用生產含有DRAM的CPU，但不是專門含有DDR4或其它DRAM產品。支持向新型內存技術的過渡符合英特爾的利益，尤其是消費者渴望得到更快的存儲速度和更低的功耗，而這正是DDR4的兩項主要優(yōu)點。

 

DDR4初期將采用2133MHz的頻率，但帶寬將隨后提高到2667MHz、3200MHz和4267MHz。這與DDR3相比是一種漸進性的改善。DDR3的最高帶寬可達2133MHz。

 

1.2V的較低工作電壓，也使得DDR4的功耗比1.5V的DDR3減少大約35%。DDR4的工作電壓可能降到更低，也許會低到1.0V，從而可以更加省電。

 

即便如此，DDR4能否取得全面成功還要看英特爾的態(tài)度。如果英特爾因某種原因決定其CPU減少對DDR4的支持，則DDR4很可能步履維艱或者達不到目前所期望的市場規(guī)模。確實，這種情形不可想像，但在DRAM市場仍然由DDR3統(tǒng)治的情況下，不能不考慮這種可能性。

市場放量還需三步走

 

目前DDR4正在躍躍欲試，準備在兩年內得到更多的采納。但在此之前，仍有許多工作要做。

 

首先，該技術的最終規(guī)格必須得到標準組織JEDEC的批準，然后DRAM廠商才能在硅片上進行設計。盡管三星電子、SK Hynix Semiconductor和美光等內存供應商已經宣布了DDR4產品，但仍須完成上述程序。

 

其次，CPU廠商——主要是英特爾，需要確保其擁有合適的芯片架構和內存控制器，才能使用DDR4。目前尚不清楚，英特爾打算如何安排其目前的DDR3 CPU產品向DDR4過渡，比如Westmere、Sandy Bridge和Ivy Bridge。但是，英特爾的CPU開發(fā)周期目前處于縮小尺寸階段，顯示其縮小了現(xiàn)有微架構的光刻尺寸。

 

最后，其它內存廠商必須在光刻方面實現(xiàn)足夠大的進步，才能滿足DDR4的設計參數。幸運的是，每個DRAM開發(fā)者都已在采用30納米工藝，這是生產1.2V DDR4所要求的節(jié)點水平。這意味著內存產業(yè)現(xiàn)在已達到DDR4的光刻要求，已經具備生產市場所渴望的這種新技術的工藝水平。

 

*Mike Howard是IHS公司的DRAM與存儲資深首席分析師。