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需求復(fù)雜化,嵌入式Flash架構(gòu)再進(jìn)化

關(guān)鍵字:嵌入式Flash 

現(xiàn)今電子產(chǎn)品正變得越來越復(fù)雜,功能正在擴(kuò)大,設(shè)備要連接到網(wǎng)絡(luò),用戶接口運(yùn)用更多圖形和互動(dòng)。這些進(jìn)步需要更快的隨機(jī)讀取性能,滿足消費(fèi)者的體驗(yàn)期望;而儲(chǔ)存下載的應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù),也需要更高密度的閃存。閃存已成為系統(tǒng)內(nèi)更加重要的組成部分。

 

針對(duì)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展,Spansion資深副總裁暨首席技術(shù)官Saied Tehrani表示,閃存技術(shù)正持續(xù)演進(jìn)和擴(kuò)大規(guī)模來滿足這些新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)之需要;但仍需要架構(gòu)和接口的進(jìn)化,使性能達(dá)到更高的水平。那些需簡(jiǎn)化內(nèi)存子系統(tǒng)的應(yīng)用程序和需減少針腳數(shù)的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品,將會(huì)持續(xù)從平行閃存轉(zhuǎn)型到串行閃存。

 

電荷捕獲技術(shù),解決可靠性問題

 

再者,標(biāo)準(zhǔn)型NAND Flash內(nèi)存產(chǎn)品最大挑戰(zhàn)之一在于浮動(dòng)?xùn)偶夹g(shù)的縮放比例。業(yè)界發(fā)現(xiàn)今日的解決方案2 xnm節(jié)點(diǎn),在質(zhì)量和可靠性方面造成嚴(yán)重降級(jí),使得錯(cuò)誤偵測(cè)、錯(cuò)誤更正碼和控制器更加錯(cuò)綜復(fù)雜。Tehrani指出:“浮動(dòng)?xùn)偶夹g(shù)正面臨瓶頸,我們將需要新的記憶產(chǎn)品。Spansion相信電荷捕獲技術(shù)可能是橋接業(yè)界需要,實(shí)現(xiàn) 1 x nm NAND的未來走向。”

 

基于此,Spansion的65nm閃存產(chǎn)品已使用電荷捕獲技術(shù),而45nm電荷捕獲技術(shù)平臺(tái)已達(dá)合格要求,未來可使用在并行和串行 NOR 產(chǎn)品的發(fā)展。另外,Spansion也應(yīng)用電荷捕獲技術(shù)來創(chuàng)建在43nm節(jié)點(diǎn)上NAND的產(chǎn)品。Saied Tehrani強(qiáng)調(diào):“這項(xiàng)技術(shù)證明了平面、可擴(kuò)展的 1Xnm NAND的生產(chǎn)技術(shù)是可行的。”此外,電荷捕獲技術(shù)也可用于3D NAND產(chǎn)品。整體而言,Spansion未來將持續(xù)投資于更高性能和密度的嵌入式NOR Flash內(nèi)存市場(chǎng)的解決方案。

 

Spansion目前在嵌入式市場(chǎng)提供三種主要類型的非揮發(fā)性閃存產(chǎn)品,包括并行 NOR Flash、串行 NOR Flash 與單層式NAND Flash。主要應(yīng)用目標(biāo)領(lǐng)域包括汽車、工業(yè)、計(jì)算機(jī)科技、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、游戲和部分無線產(chǎn)品。Spansion最新一代的 65nm 并行 NOR、Spansion GL產(chǎn)品、串行 NOR和Spansion FL產(chǎn)品等能提供業(yè)界最快的讀取的性能,因此廣獲業(yè)者青睞。

 

 

《國(guó)際電子商情》Spansion的語(yǔ)音協(xié)同處理器
Spansion的語(yǔ)音協(xié)同處理器
 

 

Spansion新近發(fā)表搭載 Nuance VoCon 軟件引擎的Acoustic Coprocessor (Spansion語(yǔ)音協(xié)同處理器),便備受汽車業(yè)等領(lǐng)域的期待。據(jù)了解此為業(yè)界第一款人機(jī)接口 (HMI) 協(xié)同處理器,可提供以語(yǔ)音控制的系統(tǒng)接口,主要應(yīng)用于汽車、游戲及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的語(yǔ)音識(shí)別系統(tǒng)。Spansion Acoustic Coprocessor包含自定義設(shè)計(jì)的邏輯與高速內(nèi)存,以促成并優(yōu)化具有語(yǔ)音功能的人機(jī)接口,同時(shí)減輕傳統(tǒng) CPU 處理聲音數(shù)據(jù)的工作負(fù)載。

彈性產(chǎn)能及服務(wù),滿足多元需求

 

針對(duì)中國(guó)大陸市場(chǎng)的經(jīng)營(yíng),Spansion則推出了新的低密度串行閃存產(chǎn)品,從4 Mb到64 Mb,目標(biāo)為消費(fèi)類電子產(chǎn)品。Spansion在中國(guó)的重點(diǎn)市場(chǎng)包括機(jī)頂盒、家庭聯(lián)網(wǎng)設(shè)備如調(diào)制解調(diào)器和家用網(wǎng)關(guān),以及像推動(dòng)下一代 4G/LTE移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的企業(yè)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

 

Tehrani表示,Spansion的客戶包括市場(chǎng)最受歡迎的品牌,以及較小的利基型電子公司等。Spansion近年更獲得許多公司所頒贈(zèng)的最佳供貨商獎(jiǎng),其中包括Coship, 富士通, 華為, TCL和中興等公司。

 

Spansion在中國(guó)擁有專注于客戶端的工程師、市場(chǎng)營(yíng)銷和銷售團(tuán)隊(duì)來直接服務(wù)客戶,并且廣泛支持全球和區(qū)域的經(jīng)銷商,包括艾睿,安富利,亞訊科技,益登科技,e絡(luò)盟,北高智,匯新和威健,提供銷售和技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。Spansion最近還在鎮(zhèn)江和上海成立新的研究與開發(fā)中心,聚焦于發(fā)展具成本競(jìng)爭(zhēng)力的串行 NOR 閃存,開發(fā)中國(guó)和全球市場(chǎng)。事實(shí)上,包括中國(guó)大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng),其2012年第一季營(yíng)業(yè)額已占Spansion總營(yíng)收將近三分之一。

 

根據(jù)Spansion所提供的資料,該公司新近于2012年的第一季,在嵌入式 NOR市場(chǎng)取得領(lǐng)先,營(yíng)收達(dá)2億1,900萬美元,并且贏得超過450種閃存產(chǎn)品的新設(shè)計(jì)。有關(guān)生產(chǎn)策略,Saied Tehrani指出,Spansion的生產(chǎn)策略是充分靈活利用在得克薩斯州奧斯汀市的內(nèi)部晶圓廠,廣泛生產(chǎn)110nm、 90nm和 65nm技術(shù)的產(chǎn)品,并從代工伙伴包括在中國(guó)武漢市的中芯國(guó)際獲得額外的產(chǎn)能來補(bǔ)充產(chǎn)能需求。這個(gè)具彈性的產(chǎn)能,可確保我們能夠響應(yīng)客戶需求的變化。

 

推動(dòng)嵌入式IP授權(quán)業(yè)務(wù),與晶圓大廠合作

 

的確,對(duì)于嵌入式內(nèi)存業(yè)者而言,滿足多樣化市場(chǎng)為相當(dāng)大的挑戰(zhàn),臺(tái)灣的常憶科技主要以嵌入式閃存IP授權(quán)滿足客戶的多元需求,包括手機(jī)NFC SIM、觸控銀幕、智能卡、MCU、PC與外圍、智能型家電、工業(yè)控制等各類產(chǎn)品。其中又以NFC SIM及智能卡等為市場(chǎng)主力。常憶科技新近便推出pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案,適用于低功率傳輸裝置例如銀 行卡,NFC等。

 

 

《國(guó)際電子商情》pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案
pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案
 

 

據(jù)了解,常憶科技所推出的0.18um pFusion嵌入式閃存解決方案,已與多家晶圓合作伙伴合作生產(chǎn)超過3年,本次推出的0.13um pFusion嵌入式閃存解決方案,系擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域,提供許多非接觸/接觸雙適配卡產(chǎn)品更進(jìn)一步降低成本的途徑。

 

常憶科技創(chuàng)立于1995年,該公司由pFlash和pFusion兩個(gè)事業(yè)單位組成,前者pFlash主要為開發(fā)和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型NOR內(nèi)存,后者pFusion則負(fù)責(zé)將嵌入式非揮發(fā)內(nèi)存的生產(chǎn)技術(shù)及智財(cái)權(quán)授權(quán)予晶圓代工廠及IC設(shè)計(jì)公司,并提供客制化設(shè)計(jì)及技術(shù)咨詢服務(wù)。

 

pFlash和pFusion的擦寫規(guī)格包括20萬次擦寫后仍可保存數(shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá)20年,以及低于百萬分之四的出貨質(zhì)量水平。常憶pFusion事業(yè)處總經(jīng)理張有志指出,”存儲(chǔ)單元具有專利的雙晶體管PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的數(shù)據(jù)寫入機(jī)制,可確保最佳的擦寫與讀取性能、智財(cái)面積的最小化、以及最短的測(cè)試時(shí)間。此外,閃存單元的制造技術(shù)使用傳統(tǒng)的ETOX結(jié)構(gòu),使工廠的生產(chǎn)和微縮更簡(jiǎn)單容易。”常憶并預(yù)計(jì)于2014年推出65nm pFusion嵌入式閃存解決方案。

 

張有志表示,就目前常憶的營(yíng)收比例而言,仍以標(biāo)準(zhǔn)型NOR內(nèi)存的貢獻(xiàn)較大,然而,智財(cái)權(quán)(IP)收入的比重雖低,但毛利率相當(dāng)高,張有志指出,”在IP部分,我們目前的主要客戶為和鑒、中芯等。未來將積極打入其他晶圓代工業(yè)者,致力拉升營(yíng)收比重。”

 

就全球嵌入式閃存產(chǎn)業(yè)生態(tài)來看,以常憶及SST(已并入Microchip)這兩家公司耕耘嵌入式閃存IP最深,而隨著全球手機(jī)支持手機(jī)付費(fèi)功能及觸控功能的發(fā)展,常憶科技在此領(lǐng)域的成績(jī)頗受期待。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
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