國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖(ITRS)及國際內(nèi)存大廠一致認(rèn)為，主流內(nèi)存DRAM及NAND Flash因組件特性及物理結(jié)構(gòu)等先天問題，將在1xnm以下遇到制程微縮的重大挑戰(zhàn)與瓶頸，將嚴(yán)重影響其成本、容量及效能的發(fā)展情形。

 

工研院IEK產(chǎn)業(yè)情報網(wǎng)指出，為了持續(xù)降低內(nèi)存的單位成本、提升容量與增加效能，諸多新技術(shù)正在進行研發(fā)，例如3D Memory，3D IC/TSV等，而下世代內(nèi)存也有機會突破上述限制，從不同的材料與設(shè)計著手，并在2016~2021年有機會開始取代目前主流內(nèi)存，例如PCM、RRAM、STT-MRAM等。

 

2012年全球內(nèi)存市場規(guī)模與增長率

 

下世代內(nèi)存介紹

 

ITRS成立下世代內(nèi)存工作小組，挑選數(shù)個下世代內(nèi)存技術(shù)，并進一步評估何者具未來發(fā)展?jié)摿?，以持續(xù)聚焦加強研發(fā)并實現(xiàn)商業(yè)化。除了PCM已商品化之外，ITRS認(rèn)為STT-MRAM和RRAM具有較大的未來發(fā)展?jié)摿Α?/p>

 

一般產(chǎn)業(yè)界認(rèn)為，具未來發(fā)展?jié)摿Φ南率来鷥?nèi)存技術(shù)需具備以下特性：運作機制為已知(Mechanism)、具有良好的效能、在16nm以下，可再微縮多個世代、在5~10年內(nèi)(2016~2021)可準(zhǔn)備好試產(chǎn)。

 

國內(nèi)外各大廠商（三星、東芝、海力士、美光、爾必達等）都非常重視下世代內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，也持續(xù)投入不少研發(fā)能量，主要包括PCM、STT-MRAM及RRAM等，待未來競逐每年1,000億美元的內(nèi)存市場大餅(2020年)。

 

全球主要投入下世代內(nèi)存之廠商說明